讲座题目：拓扑自旋存储材料和器件

邀请嘉宾：于国强  中国科学院物理研究所  教授

时间地点：2026年9月10日（周四） 上午9:00   吉林大学中心校区唐教庆楼B区  521报告厅

嘉宾简介：

于国强，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师、实验室副主任。基金委青年科学基金A类项目、中组部青年人才项目、中国科学院人才项目获得者。2007年毕业于吉林大学，2012年在中国科学院物理研究所获博士学位。2012至2017年在美国加州大学洛杉矶分校从事自旋电子学研究。2017年10月加入中国科学院物理所磁学国家重点实验室。获得中国电子学会先进工作者、中国科学院优秀研究生导师、物理所科技新人奖。主要从事自旋电子材料和器件相关的研究。至今已经在Nat. Nanotechnol.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.等国际重要期刊上发表学术论文200余篇，引用超过1.5万次；获中国发明和国际专利授权20余项。担任中国电子学会应用磁学分会委员、秘书长。担任中国物理学会磁学专业委员会委员、秘书长。担任低温物理专业委员会委员。担任中国材料研究学会纳米材料与器件分会理事会理事、副秘书长。被聘任为《国家科学进展》（National Science Open，NSO）编委、《金属学报》青年编委委员、四刊（Chinese Physics Letters、Chinese Physics B、《物理学报》和《物理》）联合青年编委。

报告简介：

基于电子自旋属性的自旋电子器件在信息存储与处理领域具有重要应用前景。为实现高性能器件，亟需探索尺寸更小、更高效的磁性信息载体及其调控机制，以突破存储密度与功耗瓶颈。拓扑磁结构斯格明子因其纳米尺度尺寸和超低驱动电流密度等优异特性，被视为未来高密度、高速度、低功耗磁存储及逻辑器件的理想信息载体。本报告将介绍我们团队在拓扑自旋存储材料与器件方向的最新研究进展，并就当前领域内亟待解决的关键问题展开讨论。